PRODUKTVORSTELLUNGEN
22.05.2012
1700-V-SiC-JFETs

Der maximale On-Widerstand beträgt 1400 mΩ
Für Starterschaltungen von Drei-Phasen-Hilfsstromversorgungen präsentiert SemiSouth 1700-V-SiC-JFETs. Die JFETs zeichnen sich durch einen maximalen On-Widerstand von 1400 mΩ aus sowie ihre geringe Startzeit aus.
Muster des SJDP170R1400 im TO247-3L-Gehäuse sind bereits verfügbar. Der SJDT170R1400, der ab dem dritten Quartal 2012 als Muster erhältlich sein soll, ist im D2PAK-7L-Gehäuse mit Abmessungen von 16 x 10 x 4,4 mm³ untergebracht. Dieses Gehäuse sorgt durch seine geringen Parasitärinduktivitäten für ein optimiertes Schaltverhalten. (ih)
• SJDT170R1400Firmeninformationen:
SemiSouth Laboratories, Inc.
201 Research Blvd.
Starkville, MS 39759
USA
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